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IRF7853PBF中文资料

IRF7853PBF图片

IRF7853PBF外观图

  • 大小：6KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 毫欧 @ 8.3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1640pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件
  • 配用：IRAC1166-100W-ND - BOARD DEMO 100W FOR IR1166

IRF7853PBF供应商

更新时间:2023-01-25 21:17:16
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